28.09.15
Descrição
É descrita a invenção de um processo de fabricação de filmes finos com propriedades elétricas e ópticas que compreende uma matriz produzida a partir dos alcóxidos de silício 3-glicidoxipropiltrimetoxisilano (GPTS) e tetraetilortosilicato (TEOS), com acréscimo do polímero condutor poli(3,4-etileno dioxitiofeno):poliestireno sulfonado (PEDOT:PSS), sendo obtido um eletrodo com espessura entre 0,5 – 1,0 μm e concentração de PEDOT:PSS entre 50,0% e 60,0%, apresentando resistência de folha de 100 Ω/sq e transmitância de 84,0% em 550 nm, sendo estas propriedades comparáveis aos eletrodos de óxido de índio-estanho do estado da técnica.
Objetivos da Universidade
Transferência de Tecnologia
