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Processo de Crescimento e Dopagem de Matrizes Semicondutoras Nanoestruturadas obtidas pelo Processo de Anodização, e Produto obtido

17.09.09

TRL5

Descrição

É descrito um método de crescimento e dopagem de matrizes nanoestruturadas de semicondutores obtidas pelo processo de anodização que compreende, em uma primeira modalidade, o controle da concentração do elemento dopante na solução anodizante seguido de tratamento térmico. Em uma segunda modalidade, o método de crescimento e dopagem de matrizes nanoestruturadas de semicondutores obtidas pelo processo de anodização compreende o controle da estrutura cristalina do semicondutor por um pré-tratamento do material-base seguido da dopagemin situdurante a anodização. Ambas as modalidades provêem matrizes semicondutoras nanoestruturadas dopadasin situ.

Diferencial Tecnológico

É descrito um método de crescimento e dopagem de matrizes nanoestruturadas de semicondutores obtidas pelo processo de anodização que compreende, em uma primeira modalidade, o controle da concentração do elemento dopante na solução anodizante seguido de tratamento térmico. Em uma segunda modalidade, o método de crescimento e dopagem de matrizes nanoestruturadas de semicondutores obtidas pelo processo de anodização compreende o controle da estrutura cristalina do semicondutor por um pré-tratamento do material-base seguido da dopagemin situdurante a anodização. Ambas as modalidades provêem matrizes semicondutoras nanoestruturadas dopadasin situ.

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