16.06.06
TRL5
Descrição
Processo para produção de filmes finos de materiais monocristalinos ou policristalinos incluindo os seguintes passos: Implantação de íons (2) pela superfície (3) de um material plano, geralmente um "wafer" (ou bolacha) de material semicondutor (1), criando uma região localizada de defeitos em forma de bolhas no volume do material (4) definindo a separação entre o volume do material (5) e o filme a ser separado (6), tratamento térmico do material, de maneira a causar a separação da camada superficial do material resto do seu volume ao longo da região onde estão localizados os defeitos, filme este que pode ser ou não previamente ancorado por um segundo material rígido(7) dependendo da aplicação desejada. E de acordo com a presente invenção, o processo de separação ocorre por propagação de trincas. Também é relatado um processo de evitar o embolhamento da camada superficial sem a presença de um ancoradouro mecânico, mesmo para camadas finas.
Diferencial Tecnológico
Processo para produção de filmes finos de materiais monocristalinos ou policristalinos incluindo os seguintes passos: Implantação de íons (2) pela superfície (3) de um material plano, geralmente um "wafer" (ou bolacha) de material semicondutor (1), criando uma região localizada de defeitos em forma de bolhas no volume do material (4) definindo a separação entre o volume do material (5) e o filme a ser separado (6), tratamento térmico do material, de maneira a causar a separação da camada superficial do material resto do seu volume ao longo da região onde estão localizados os defeitos, filme este que pode ser ou não previamente ancorado por um segundo material rígido(7) dependendo da aplicação desejada. E de acordo com a presente invenção, o processo de separação ocorre por propagação de trincas. Também é relatado um processo de evitar o embolhamento da camada superficial sem a presença de um ancoradouro mecânico, mesmo para camadas finas.
Objetivos da Universidade
Transferência de Tecnologia
