16.08.16
Descrição
A presente patente de invenção visa a empregar um sistema nanoestruturado do tipo filme fino e multicamada com exchange bias, que apresenta efeito magnetoimpedância assimétrica (AMI), como elemento sensor em dispositivos tecnológicos, baseados no efeito magnetoimpedância (MI), que necessitem de resposta linear em baixos valores de campo magnético. O sistema nanoestruturado proposto consiste em filmes finos e multicamadas na forma [Material ferromagnético/Material antiferromagnético]. Neste caso, a região linear das curvas de MI pode ser ajustada em torno do campo magnético zero através da variação da espessura dos materiais ferromagnético e antiferromagnético, da frequência da corrente de sonda, da orientação entre o campo magnético externo e a direção do campo de exchange bias. Deste modo, consideráveis valores de variação na magnitude da impedância em campos baixos, associados à sensibilidade de MI, podem ser obtidos, o que coloca os filmes e multicamadas ferromagnéticos com exchange bias como candidatos promissores a elementos sensores para dispositivos tecnológicos baseados no efeito MI.
Diferencial Tecnológico
O tipo filme fino e multicamada com exchange bias, apresenta efeito magnetoimpedância assimétrica (AMI), precisa de baixos valores de campo magnético e de resposta linear. Esse sistema nanoestruturado consiste em filmes finos e multicamadas na forma [Material ferromagnético/Material antiferromagnético].
Objetivos da Universidade
Transferência de tecnologia
