31.05.17
Descrição
Nova estrutura de dispositivo de memória resistiva para aplicação na indústria de dispositivos semicondutores, microeletrônica, computação neuromórfica e eletrônica em geral, a qual é baseada em grafeno dopado com metais de transição; trata-se de um dispositivo que toma como base o óxido de grafeno (GO) com a estrutura ITO/CuO/GO/ CuO/Al, sendo o presente dispositivo fabricado pela técnica de dip coating, contendo camadas da memória com estrutura específica do tipo: ITO/CuO/GO + 1% Ag/ CuO/Al; Al/CuO /GO + 1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 1% Ag /Al; ITO/CuO /GO + 0,1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 0,1% Ag /Al; ITO/CuO/GO + 1% Cu/ CuO/Al; ITO/CuO/GO + 1% Fe/ CuO/Al; e ITO/GO + 1% Cu/Al.
Diferencial Tecnológico
O dispositivo apresenta comportamento unipolar, o qual não é visto na literatura
Objetivos da Universidade
Licenciar a tecnologia ou realizar sua cessão em definitivo. A universidade está disponível para transferir essa tecnologia de imediato caso haja instituição interessada. Devido ao nível de maturidade, é desejável que o licenciante tenha capacidade para realizar as etapas necessárias para tornar a tecnologia pronta para uso
