Forno com Volume - FORNO E MÉTODO PARA PROCESSAMENTO DE LÂMINAS DE SILÍCIO

Descrição

FORNO E MÉTODO PARA PROCESSAMENTO DE LÂMINAS DE SILÍCIO. A PRESENTE INVENÇÃO FAZ REFERÊNCIA A UM FORNO E UM MÉTODO PARA DIFUSÃO DE DOPANTES OU PARA OXIDAÇÃO EM LÂMINAS DE SILÍCIO OU OUTRO MATERIAL SEMICONDUTOR. O REFERIDO FORNO É UM EQUIPAMENTO COM CÂMARA DE PROCESSAMENTO DE QUARTZO OU SIC NÃO TUBULAR, NO QUAL A SEÇÃO RETA DA CÂMARA PODE SER QUADRADA OU RETANGULAR, CONFORME AS DIMENSÕES E QUANTIDADE DAS LÂMINAS DE SILÍCIO. O VOLUME DA CÂMARA REDUZIDO EM RELAÇÃO AO DE FORNOS TUBULARES, PROPORCIONA A DIMINUIÇÃO NO CONSUMO DE GASES DE ALTA PUREZA E DE ENERGIA ELÉTRICA. O SISTEMA DE ENTRADA E SAÍDA DAS LÂMINAS NA CÂMARA DE PROCESSAMENTO, DO CONTROLE DE GASES DE ALTA PUREZA E DO CONTROLE DA TEMPERATURA É AUTOMATIZADO. ADICIONALMENTE, A PRESENTE INVENÇÃO DESCREVE MÉTODO DE DIFISÃO DE DOPANTES E/OU OXIDAÇÃO EM LÂMINAS DE SILÍCIO OU DE OUTRO SEMICONDUTOR UTILIZANDO O FORNO.

Diferencial Tecnológico

Equipamento que otimiza a produção de células solares

Objetivos da Universidade

Licenciamento para terceiros