28.11.03
TRL4
Descrição
Constituído por uma etapa de crescimento de óxido de silício sobre as superfícies, para proteção de determinadas regiões da lâmina dos ataques anisotrópicos e das difusões de dopantes, seguido por um processo de fotolitografia, ataque do óxido através de uma solução de ácido fluorídrico, processo de texturização para formação de micropirâmides na superfície mediante um ataque anisotrópico, difusão de fósforo para formar a região tipo n, deposição de alumínio (dopante tipo) na face posterior por evaporação em vácuo, redistribuição de ambos dopantes a 1000 C. Metalização frontal para delineação da malha metálica para coleta da corrente elétrica, evaporação em vácuo de Ti, Pd e Ag, extração de metal excedente pela técnica de lift-off e crescimento eletrolítico de prata para obter dedos metálicos de espessuras de aproximadamente 10m. Imersão das lâminas em acetona e banho com agitação por ultra-som. Concluindo o processo depositam-se Al e Ag na face posterior, novamente por evaporação a vácuo e se realiza um recozimento final em ´forming gas´ (95% de N2 e 5% de H2) para melhorar o contato metal-semicondutor e recuperar possíveis danos superficiais. Para evitar a contaminação das lâminas, uma limpeza RCA completa é realizada antes de cada passo térmico.
Diferencial Tecnológico
Processo de desenvolvimento de células de alta eficiência e baixo custo
Objetivos da Universidade
Licenciamento para terceiros
